Транзистор MMBT5551 (G1) биполярный 160V 0.6A NPN SOT-23
1,80 ₴
- Готово к отправке
- Код: 247
Транзистор MMBT5551 (G1) биполярный 160V 0.6A NPN SOT-23Готово к отправке
1,80 ₴
+380 (50) 444-85-39
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Биполярный транзистор MMBT5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: MMBT5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Поверхностный |
Информация для заказа
- Цена: 1,80 ₴