Транзистор IRF510N MOSFET N канальный 5.6A 100V TO220
14 ₴
- Готово к отправке
- Код: 523
Транзистор IRF510N MOSFET N канальный 5.6A 100V TO220Готово к отправке
14 ₴
+380 (50) 444-85-39
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Наименование прибора: IRF510
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
- Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 4 V
- Максимальная температура канала: 175 °C
- Общий заряд затвора: 8.3(max) nC
- Время нарастания: 16 ns
- Выходная емкость: 81 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
- Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 4 V
- Максимальная температура канала: 175 °C
- Общий заряд затвора: 8.3(max) nC
- Время нарастания: 16 ns
- Выходная емкость: 81 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.6 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип полевого транзистора | С управляющим p-n переходом |
| Тип транзистора | Полевой |
Информация для заказа
- Цена: 14 ₴