Наименование прибора: IRF640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
- Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 4 V
- Максимальная температура канала: 150 °C
- Общий заряд затвора: 36 nC
- Время нарастания: 60(max) ns
- Выходная емкость: 750(max) pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
- Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 4 V
- Максимальная температура канала: 150 °C
- Общий заряд затвора: 36 nC
- Время нарастания: 60(max) ns
- Выходная емкость: 750(max) pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип полевого транзистора | С управляющим p-n переходом |
| Тип транзистора | Полевой |
Информация для заказа
- Цена: 20 ₴

