Транзистор 20N60 - это мощный силовой элемент, предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных цепях. Его основное применение - в источниках питания импульсного типа, инверторах, преобразователях напряжения и другой энергетике, где важна высокая эффективность и надежность. Благодаря способности выдерживать напряжение до 600 В и ток до 20 А, этот компонент обеспечивает стабильную работу даже в сложных условиях. Имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, что уменьшает тепловые потери и повышает общую эффективность устройства. Хорошо подходит для использования в схемах с ШИМ-регулированием и коммутацией мощных нагрузок.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
- предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 3.9 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
- Максимальная температура канала: 150 °C
- Общий заряд: 87 nC
- Время нарастания: 5 ns
- Выходная емкость: 780 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
- предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
- Пороговое напряжение включения: 3.9 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
- Максимальная температура канала: 150 °C
- Общий заряд: 87 nC
- Время нарастания: 5 ns
- Выходная емкость: 780 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 29,90 ₴

