
Транзистор MOSFET IRF8010 N-канальный мощный
24,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Готово к отправке 41 ед.
- Код: 1133
+380 (50) 444-85-39
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор MOSFET IRF8010 предназначен для управления электрическими цепями с высокой мощностью. Имеет N-канальную полярность, обеспечивающую эффективное переключение и низкие потери мощности. Особенности включают максимальную рассеиваемую мощность 260 Вт, максимально допустимое напряжение сток-исток 100 В, пороговое напряжение включения 4 В и максимальный ток стока 80 А. Комплектация включает корпус типа TO220AB, обеспечивающий надежное крепление и охлаждение. Транзистор подходит для применения в силовых преобразователях, инверторах и других электронных устройствах, где требуется высокая надежность и эффективность.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N;
Максимальная рассеиваемая мощность: 260 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 80 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Заряд затвора: 81 нКл;
Время нарастания: 130 нс;
Выходная емкость: 480 пФ;
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ом;
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N;
Максимальная рассеиваемая мощность: 260 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 80 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Заряд затвора: 81 нКл;
Время нарастания: 130 нс;
Выходная емкость: 480 пФ;
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ом;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 24,50 ₴
