
Транзистор MOSFET IRF8010 N-канальний потужний
24,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 150 ₴
- Готово до відправки
- Код: 1133
+380 (50) 444-85-39
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор MOSFET IRF8010 призначений для керування електричними ланцюгами з високою потужністю. Має N-канальну полярність, що забезпечує ефективне перемикання та низькі втрати потужності. Особливості включають максимальну розсіювану потужність 260 Вт, максимально допустиму напругу сток-істок 100 В, порогову напругу включення 4 В та максимальний струм стоку 80 А. Комплектація включає корпус типу TO220AB, що забезпечує надійне кріплення та охолодження. Транзистор підходить для застосування в силових перетворювачах, інверторах та інших електронних пристроях, де потрібна висока надійність і ефективність.
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярність: N;
Максимальна розсіювана потужність: 260 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 100 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 80 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Заряд затвора: 81 нКл;
Час наростання: 130 нс;
Вихідна ємність: 480 пФ;
Опір сток-істок відкритого транзистора: 0.015 Ом;
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярність: N;
Максимальна розсіювана потужність: 260 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 100 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 80 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Заряд затвора: 81 нКл;
Час наростання: 130 нс;
Вихідна ємність: 480 пФ;
Опір сток-істок відкритого транзистора: 0.015 Ом;
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen |
| Країна виробник | Китай |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,50 ₴
