Транзистор MOSFET IRF5305 предназначен для управления электрическими цепями с высокой мощностью. Имеет P-тип полярности, что позволяет эффективно работать в схемах с отрицательным управлением. Особенности включают максимальную рассеиваемую мощность 110 Вт, максимально допустимое напряжение сток-исток 55 В и пороговое напряжение включения 4 В. Комплектация: транзистор в корпусе TO220AB. Высокая максимальная температура канала до 175 °C обеспечивает надежную работу в сложных условиях. Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: P;
Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 31 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Общий заряд затвора: 63 нКл;
Время нарастания: 66 нс;
Выходная емкость: 520 пФ;
Сопротивление открытого транзистора: 0.06 Ом;
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: P;
Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 31 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Общий заряд затвора: 63 нКл;
Время нарастания: 66 нс;
Выходная емкость: 520 пФ;
Сопротивление открытого транзистора: 0.06 Ом;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 18 ₴

