Транзистор MOSFET IRF5210 P-тип, 200 Вт
19 ₴
- Готово к отправке
- Код: 1135
Транзистор MOSFET IRF5210 P-тип, 200 ВтГотово к отправке
19 ₴
+380 (50) 444-85-39
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Транзистор MOSFET IRF5210 предназначен для управления электрическими цепями с высокой мощностью. Модель имеет P-тип полярности и обеспечивает максимальную рассеиваемую мощность до 200 Вт. Особенностью является высокий максимально допустимый ток стока 40 А и напряжение сток-исток до 100 В. Транзистор оснащён пороговым напряжением включения 4 В и низким сопротивлением открытого канала 0.06 Ом, что обеспечивает эффективную работу в схемах переключения. Комплектация включает корпус TO220AB, облегчающий монтаж и охлаждение.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: P;
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 40 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Сопротивление открытого канала: 0.06 Ом;
Корпус: TO220AB;
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: P;
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 40 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Сопротивление открытого канала: 0.06 Ом;
Корпус: TO220AB;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 19 ₴