Транзистор MOSFET IRF5210 P-тип, 200 Вт
19 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 150 ₴
- Готово до відправки
- Код: 1135
Транзистор MOSFET IRF5210 P-тип, 200 ВтГотово до відправки
19 ₴
+380 (50) 444-85-39
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор MOSFET IRF5210 призначений для керування електричними ланцюгами з високою потужністю. Модель має P-тип полярності і забезпечує максимальну розсіювану потужність до 200 Вт. Особливістю є високий максимально допустимий струм стоку 40 А та напруга сток-істок до 100 В. Транзистор оснащений пороговою напругою включення 4 В і низьким опором відкритого каналу 0.06 Ом, що забезпечує ефективну роботу в схемах перемикання. Комплектація включає корпус TO220AB, що полегшує монтаж і охолодження.
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярність: P;
Максимальна розсіювана потужність: 200 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 100 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 40 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Опір відкритого каналу: 0.06 Ом;
Корпус: TO220AB;
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярність: P;
Максимальна розсіювана потужність: 200 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 100 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 40 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Опір відкритого каналу: 0.06 Ом;
Корпус: TO220AB;
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen |
| Країна виробник | Китай |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 19 ₴