Транзистор MOSFET IRF3808 предназначен для коммутации и усиления электрических сигналов в различных электронных устройствах. Это N-канальный MOSFET с максимальной рассеиваемой мощностью 330 Вт, обеспечивающий надежную работу при высоких нагрузках. Транзистор имеет низкое сопротивление открытого канала 0.007 Ом, что снижает потери энергии. Пороговое напряжение включения составляет 4 В, а максимальная температура канала – 175 °C, что гарантирует стабильность работы. В комплекте корпус TO220AB, удобный для монтажа и охлаждения.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET N-канальный;
Максимальная рассеиваемая мощность: 330 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 75 В;
Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 140 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Заряд затвора: 150 нКл;
Время нарастания: 140 нс;
Выходная емкость: 890 пФ;
Сопротивление открытого канала: 0.007 Ом.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET N-канальный;
Максимальная рассеиваемая мощность: 330 Вт;
Максимальное напряжение сток-исток: 75 В;
Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Максимальный ток стока: 140 А;
Максимальная температура канала: 175 °C;
Заряд затвора: 150 нКл;
Время нарастания: 140 нс;
Выходная емкость: 890 пФ;
Сопротивление открытого канала: 0.007 Ом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 24,50 ₴

