Транзистор IGBT DXG50N65HSEU мощностью 305 Вт
199 ₴
- Готово к отправке
- Код: 1174
Транзистор IGBT DXG50N65HSEU мощностью 305 ВтГотово к отправке
199 ₴
+380 (50) 444-85-39
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Транзистор IGBT DXG50N65HSEU предназначен для управления мощными электрическими цепями с максимальной рассеиваемой мощностью 305 Вт. Включает встроенный диод, тип управляющего канала N, обеспечивающий эффективное переключение и стабильную работу. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, максимальный постоянный ток коллектора — 80 А при 25℃. Типовое напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 1.65 В. Максимальная температура перехода до 175 ℃ гарантирует надежность в сложных условиях эксплуатации. Комплектация включает корпус типа TO247, обеспечивающий удобство монтажа и охлаждения.
Технические характеристики:
Тип транзистора: IGBT + диод;
Максимальная рассеиваемая мощность: 305 Вт;
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
Максимальное напряжение эмиттер-затвор: 20 В;
Максимальный ток коллектора: 80 А @25℃;
Типовое напряжение насыщения: 1.65 В @25℃;
Максимальная температура перехода: 175 ℃;
Время нарастания: 15 нс;
Выходная емкость: 65 пФ;
Общий заряд затвора: 120 нК;
Тип корпуса: TO247;
Технические характеристики:
Тип транзистора: IGBT + диод;
Максимальная рассеиваемая мощность: 305 Вт;
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
Максимальное напряжение эмиттер-затвор: 20 В;
Максимальный ток коллектора: 80 А @25℃;
Типовое напряжение насыщения: 1.65 В @25℃;
Максимальная температура перехода: 175 ℃;
Время нарастания: 15 нс;
Выходная емкость: 65 пФ;
Общий заряд затвора: 120 нК;
Тип корпуса: TO247;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 199 ₴