Транзистор 10N60 MOSFET N-канальный предназначен для высоковольтного и высокоэффективного коммутационного применения в электронных устройствах. Он поддерживает напряжение до 600 В и постоянный ток до 10 А, что делает его подходящим для источников питания, светодиодных драйверов и систем управления двигателями. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (Rds(on)) и высокой скорости переключения, 10N60 минимизирует потери на проводимость и переключение, улучшая тепловые характеристики. Транзистор имеет корпус типа TO220F и включает такие характеристики, как максимальная рассеиваемая мощность 156 Вт, пороговое напряжение включения 4 В и максимальную температуру канала 150 °C.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N-канальный;
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В;
Максимальный постоянный ток стока: 10 А;
Максимальная рассеиваемая мощность: 156 Вт;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.72 Ом;
Корпус: TO220F;
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N-канальный;
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В;
Максимальный постоянный ток стока: 10 А;
Максимальная рассеиваемая мощность: 156 Вт;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.72 Ом;
Корпус: TO220F;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 24,50 ₴

