Транзистор 12N60 MOSFET N-канальный предназначен для коммутации высокого напряжения до 600 В и тока до 12 А. Подходит для импульсных источников питания (SMPS), инверторов, электроприводов и схем коррекции коэффициента мощности. Отличается низким сопротивлением Rds(on) и быстрым переключением, что снижает потери на проводимость и коммутацию. Выпускается в корпусе TO-220F. Рекомендуется обеспечивать напряжение на затворе 10-12 В для полного открытия, использовать эффективное охлаждение и контролировать параметры демпфера и затворного резистора. Важно проверять целостность затвора при ремонте.
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N-канал;
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В;
Максимальный ток стока: 12 А;
Максимальная рассеиваемая мощность: 225 Вт;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Сопротивление открытого канала Rds(on): 0.6 Ом;
Время нарастания: 115 нс;
Заряд затвора: 42 нКл;
Выходная емкость: 200 пФ;
Максимальная температура канала: 150 °C;
Корпус: TO-220F;
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N-канал;
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В;
Максимальный ток стока: 12 А;
Максимальная рассеиваемая мощность: 225 Вт;
Пороговое напряжение включения: 4 В;
Сопротивление открытого канала Rds(on): 0.6 Ом;
Время нарастания: 115 нс;
Заряд затвора: 42 нКл;
Выходная емкость: 200 пФ;
Максимальная температура канала: 150 °C;
Корпус: TO-220F;
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Shenzhen |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 29 ₴

