Біполярний транзистор MMBT5551 - опис виробника. Основні характеристики. Даташити.
Найменування виробника: MMBT5551
Маркування: G1
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 0.2 W
Максимальна допустима напруга колектор-база (Ucb): 180 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 160 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A
Гранична температура переходу PN (Tj): 175 °C
Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 100 МГц
Місткість колекторного переходу (Cc): 10 pf
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Найменування виробника: MMBT5551
Маркування: G1
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 0.2 W
Максимальна допустима напруга колектор-база (Ucb): 180 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 160 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A
Гранична температура переходу PN (Tj): 175 °C
Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 100 МГц
Місткість колекторного переходу (Cc): 10 pf
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Поверхневий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1,80 ₴

