Найменування приладу: IRF540N
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
- Максимально допустимий постійний струм стоку: 33 A
- гранично допустима напруга сток-витік: 100 V
- Максимальна потужність, що розсіюється: 130 W
- гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
- Порогова напруга включення: 4 V
- Максимальна температура каналу: 175 °C
- Загальний заряд затвора: 71(max) nC
- Час наростання: 35 ns
- Вихідна ємність: 250 pf
- Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпусу: TO220AB
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
- Максимально допустимий постійний струм стоку: 33 A
- гранично допустима напруга сток-витік: 100 V
- Максимальна потужність, що розсіюється: 130 W
- гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
- Порогова напруга включення: 4 V
- Максимальна температура каналу: 175 °C
- Загальний заряд затвора: 71(max) nC
- Час наростання: 35 ns
- Вихідна ємність: 250 pf
- Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпусу: TO220AB
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип польового транзистора | З керуючим p-n переходом |
| Тип транзистора | Польовий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 13 ₴

