Найменування приладу: 2N7000
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 1W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга сток-схід: 60V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-джерело: 18V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга увімкнення: 3V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 0.35A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150°C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 1.4nC
trⓘ - Час наростання: 15ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 20pf
Rdsⓘ - Опір сток-істок відкритого транзистора: 5Ohm
Тип корпусу: TO-92
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 1W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга сток-схід: 60V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-джерело: 18V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга увімкнення: 3V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 0.35A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150°C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 1.4nC
trⓘ - Час наростання: 15ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 20pf
Rdsⓘ - Опір сток-істок відкритого транзистора: 5Ohm
Тип корпусу: TO-92
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.35 А |
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2,50 ₴

