
Транзистор MOSFET IRF3808 N-канальний 75В 140А
24,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 150 ₴
- Готово до відправки
- Код: 1136
+380 (50) 444-85-39
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор MOSFET IRF3808 призначений для комутації та підсилення електричних сигналів у різних електронних пристроях. Це N-канальний MOSFET з максимальною розсіюваною потужністю 330 Вт, що забезпечує надійну роботу в умовах високих навантажень. Транзистор має низький опір відкритого каналу 0.007 Ом, що знижує втрати енергії. Порогова напруга включення становить 4 В, а максимальна температура каналу – 175 °C, що гарантує стабільність роботи. Комплектація включає корпус TO220AB, зручний для монтажу та охолодження.
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET N-канальний;
Максимальна розсіювана потужність: 330 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 75 В;
Максимальна напруга затвор-істок: 20 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 140 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Заряд затвора: 150 нКл;
Час наростання: 140 нс;
Вихідна ємність: 890 пФ;
Опір відкритого каналу: 0.007 Ом.
Технічні характеристики:
Тип транзистора: MOSFET N-канальний;
Максимальна розсіювана потужність: 330 Вт;
Максимальна напруга сток-істок: 75 В;
Максимальна напруга затвор-істок: 20 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимальний струм стоку: 140 А;
Максимальна температура каналу: 175 °C;
Заряд затвора: 150 нКл;
Час наростання: 140 нс;
Вихідна ємність: 890 пФ;
Опір відкритого каналу: 0.007 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen |
| Країна виробник | Китай |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,50 ₴
