DXG50N65HSEU транзистор IGBT потужністю 305 Вт

Транзистор IGBT DXG50N65HSEU призначений для керування потужними електричними ланцюгами з максимальною розсіюваною потужністю 305 Вт. Містить вбудований діод, тип управляючого каналу N, що забезпечує ефективне перемикання та стабільну роботу. Максимально допустима напруга колектор-еміттер становить 650 В, а максимальний постійний струм колектора — 80 А при 25℃. Напруга насичення колектор-еміттер типова — 1.65 В. Максимальна температура переходу до 175 ℃ гарантує надійність у складних умовах експлуатації. Комплектація включає корпус типу TO247, що забезпечує зручність монтажу та охолодження.
Технічні характеристики:
Тип транзистора: IGBT + діод;
Максимальна розсіювана потужність: 305 Вт;
Максимальна напруга колектор-еміттер: 650 В;
Максимальна напруга еммітер-затвор: 20 В;
Максимальний струм колектора: 80 А @25℃;
Типове напруга насичення: 1.65 В @25℃;
Максимальна температура переходу: 175 ℃;
Час наростання: 15 нс;
Вихідна ємність: 65 пФ;
Заряд затвора: 120 нК;
Тип корпусу: TO247;